摘要：通過電化學沉積法以TiO2納米管陣列(TNTs)為基底制備CdSe/TiO2異質結薄膜。研究TiO2納米管陣列基底不同退火溫度(200,350,450,600℃)對CdSe/TiO2異質結薄膜光電化學性能的影響。采用SEM,XRD,UV-Vis,電化學測試等方法對樣品的微觀形貌、晶體結構、光電化學性能等進行表征。結果表明:立方晶型的CdSe納米顆粒均勻沉積在TiO2納米管陣列管口及管壁上。TiO2納米管陣列未經(jīng)退火及退火溫度為200℃時,為無定型態(tài),在TiO2納米管陣列上沉積的CdSe納米顆粒數(shù)量少,尺寸小,異質結薄膜光電性能較差,光電流幾乎為零。隨著退火溫度升高到350℃,TiO2納米管陣列基底開始向銳鈦礦轉變;且沉積在TiO2納米管上的CdSe顆粒增多,尺寸增大,光電化學性能提高。退火溫度為450℃時光電流值達到最大,為4.05mA/cm^2。當退火溫度達到600℃時,TiO2納米管有金紅石相出現(xiàn),CdSe顆粒變小,數(shù)量減少,光電化學性能下降。