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檸檬酸鈉對(duì)Ni-Sn-Mn合金電沉積行為及耐蝕性的影響

作者:孟慶波; 齊海東; 盧帥; 郭昭; 楊海麗 華北理工大學(xué)現(xiàn)代冶金技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 河北唐山063210

摘要:為了探索檸檬酸鈉在Ni-Sn-Mn合金電沉積過程中的作用機(jī)制,采用掃描電子顯微鏡、陰極極化曲線、循環(huán)伏安曲線、電化學(xué)阻抗、恒電位階躍及Tafel曲線等方法,研究了檸檬酸鈉的濃度對(duì)Ni-Sn-Mn合金的表面形貌、電沉積行為及耐蝕性的影響。結(jié)果表明:隨著檸檬酸鈉濃度的增加,Ni-Sn-Mn合金電沉積的陰極極化增強(qiáng),沉積電位負(fù)移,電荷轉(zhuǎn)移電阻增大;不同檸檬酸鈉濃度下的電沉積過程均不可逆,并且電結(jié)晶過程遵循由電荷傳遞過程和擴(kuò)散過程共同控制的三維連續(xù)成核機(jī)制;當(dāng)檸檬酸鈉的濃度為0.5mol/L時(shí),鍍層最為均勻、細(xì)密,在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3.5%的NaCl溶液中具有最正的自腐蝕電位及最小的自腐蝕電流密度,耐蝕性最好。

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