電弧離子鍍/磁控濺射復(fù)合真空退火制備Ti2AlC涂層
作者：胡小剛; 董闖; 楊紅艷; 張瑞謙 三束材料改性教育部重點實驗室; 大連理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院; 遼寧大連116024; 反應(yīng)堆燃料及材料重點實驗室; 中國核動力研究設(shè)計院; 四川成都610200
摘要：采用自主研發(fā)的大弧源技術(shù),復(fù)合中頻磁控濺射石墨靶,避免H元素的引入,在鋯合金表面快速沉積了致密、超厚(約20μm)的Ti-Al-C涂層.經(jīng)過不同溫度(550、650、750和850℃)和時間(1、2和3 h)的真空退火后發(fā)現(xiàn),至少在650℃才能獲得Ti2AlC結(jié)構(gòu),更高的溫度會加速Ti2AlC的生成.高溫沉積對制備Ti2AlC相涂層而言是必備的.
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