摘要：通過仿真模擬脈沖激光對半導體器件光生載流子的影響,重點研究縱向NPN三極管(VNPN)的激光輻照效應(yīng)。光照強度較小時,只有集電結(jié)反偏,而發(fā)射結(jié)處的光生電動勢不足以抵消發(fā)射結(jié)的內(nèi)建電勢,發(fā)射結(jié)尚未開啟,器件工作在以集電結(jié)為主的二極管模式;光照強度增加時,發(fā)射結(jié)逐漸開啟,器件工作在三極管模式;光照強度進一步增大,由于外部限流電阻的作用,集電極電流達到飽和,器件工作在以發(fā)射結(jié)為主的二極管模式。因此,隨著光照強度的增加,VNPN器件的激光輻射效應(yīng)經(jīng)歷三個階段,其響應(yīng)曲線呈非線性變化。改變VNPN的尺寸和脈沖激光的參數(shù),會影響器件進入三極管模式的臨界點,改變非線性響應(yīng)的觸發(fā)光照強度,體現(xiàn)了器件對激光輻照效應(yīng)的敏感性。