Cu摻雜對(duì)Cu-Mn-Co-Ni-O薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響
作者：鄒小華; 傅邱云; 李睿鋒 華中科技大學(xué)光學(xué)與電子信息學(xué)院; 湖北武漢430074; 華中科技大學(xué)教育部敏感陶瓷工程研究中心; 湖北武漢430074
摘要：通過金屬有機(jī)物熱分解法制備了結(jié)構(gòu)為Ag/NTC/SiO2/Si的薄膜NTC(負(fù)溫度系數(shù))熱敏電阻,研究了Cu摻雜對(duì)CuxMn1.56Co0.96Ni0.48O4+y[x=0~0.25,(x+3)/(4+y)=3/4]薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響,并對(duì)其導(dǎo)電機(jī)理進(jìn)行了分析.結(jié)果表明,少量Cu(x≤0.2)摻雜可以迅速降低薄膜的室溫電阻值,過量則會(huì)導(dǎo)致薄膜產(chǎn)生孔隙和缺陷;Cu主要以Cu+形式存在并占據(jù)A位;隨著Cu摻雜量的增加,會(huì)使Cu^+和Mn^3+/Mn^4+離子對(duì)的含量占比均增加,促進(jìn)兩種電子跳躍機(jī)制導(dǎo)電.當(dāng)x=0.2時(shí),薄膜電阻有最佳的性能:R25=0.082 MΩ,B25/50=3250 K.
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