摘要：ZnO是優(yōu)異的紫外發(fā)光和激光材料,氮被認(rèn)為是p型ZnO和MgZnO的理想受主摻雜劑,但在較低生長(zhǎng)溫度下氮的摻入會(huì)顯著破壞晶格完整性,使氧化鋅的載流子遷移率進(jìn)一步下降。為了研究N的摻入對(duì)MgZnO薄膜的影響,利用分子束外延設(shè)備在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)了N摻雜的ZnO和MgZnO薄膜。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在其他條件完全相同的情況下,當(dāng)Mg源溫度為245℃和255℃時(shí),載流子遷移率會(huì)顯著提高,這一現(xiàn)象被歸結(jié)為Mg-N成鍵抑制了氧位上N-N對(duì)的形成,緩解了晶格的扭曲。同時(shí)當(dāng)Mg源溫度為275℃時(shí),能夠使N摻雜ZnO薄膜中的施主濃度降低一個(gè)量級(jí),有利于實(shí)現(xiàn)p型摻雜。