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PVDF/CaCu(3-x)MgxTi4O12復(fù)合材料制備及介電性能

作者:杜月; 蔡會(huì)武; 王行行; 石凱; 陳守麗; 田珂; 劉圣楠 西安科技大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院; 西安710054

摘要:通過(guò)溶膠凝膠法制備了CaCu3Ti4O12(CCTO),CaCu(3-x)MgxTi4O12(CCMTO,x=0.02,0.1,0.2)陶瓷顆粒,以聚偏氟乙烯(PVDF)為基體,采用機(jī)械共混熱壓制備了PVDF/CCMTO復(fù)合材料。研究了CCMTO煅燒溫度和Mg^2+摻雜量對(duì)PVDF/CCMTO復(fù)合材料介電性能、擊穿電壓、儲(chǔ)能密度的影響,以及CCTO填充量對(duì)PVDF/CCTO復(fù)合材料拉伸強(qiáng)度的影響。結(jié)果表明,當(dāng)煅燒溫度為700℃時(shí),陶瓷顆粒粒徑較小且分布較窄,復(fù)合材料介電性能較好,Mg^2+摻雜后增大了CCTO陶瓷顆粒的晶粒尺寸,當(dāng)x=0.1時(shí),復(fù)合材料的介電常數(shù)可以到達(dá)96,介電損耗為0.21(填料含量為60%,常溫,100 Hz時(shí)),此時(shí)PVDF/CCMTO儲(chǔ)能密度達(dá)到1.284 J/cm^3,相比于PVDF/CCTO儲(chǔ)能密度提高了一倍。在相同填充量下?lián)舸╇妷簬缀跸嗖畈淮?。PVDF/CCMTO相比于PVDF/CCTO介電常數(shù)提高了71%,介電損耗幾乎不變,Mg^2+摻雜顯著提高了PVDF/CCTO復(fù)合材料的介電性能。當(dāng)CCTO填充量為50%時(shí),復(fù)合材料出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象,PVDF/CCTO復(fù)合材料隨CCTO填充量的增加,拉伸強(qiáng)度不斷下降。

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