摘要：在研究高壓大功率絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片電氣物理模型的基礎(chǔ)上,對現(xiàn)有研究成果中模型使用的非準(zhǔn)靜態(tài)建模方法進行了總結(jié)、分析、對比和分類。大功率IGBT半導(dǎo)體芯片具有承受高電壓的低摻雜寬基區(qū),該區(qū)域的非準(zhǔn)靜態(tài)表征一直以來都是IGBT模塊物理建模的重難點。已有國內(nèi)外研究人員針對該問題提出大量不同建模方法,但是缺乏對這些方法之間的區(qū)別、聯(lián)系和優(yōu)缺點等系統(tǒng)科學(xué)地歸納和總結(jié)。為此根據(jù)建模原理揭示了現(xiàn)有IGBT芯片物理模型漂移區(qū)非準(zhǔn)靜態(tài)建模方法的區(qū)別和聯(lián)系,將其歸納為形函數(shù)模型、空間變換模型、時間變換模型以及集總電荷模型。首先,按照上述模型分類分析了每類建模方法所采用的數(shù)學(xué)原理。其次,基于模型求解方式的不同,對各類建模方法的優(yōu)勢和局限性進行了對比和討論。研究內(nèi)容和結(jié)果為IGBT芯片內(nèi)部寬基區(qū)物理模型的準(zhǔn)靜態(tài)建模方法的研究和選取提供了理論指導(dǎo)。