碳硅原子鏈電子輸運(yùn)性質(zhì)的理論計(jì)算
作者：張淑華; 柳福提 宜賓學(xué)院化學(xué)與化工學(xué)院; 四川宜賓644007; 宜賓學(xué)院物理與電子工程學(xué)院; 四川宜賓644007
摘要：以C-Si-C-Si直線原子鏈與Au(100)-3×3電極耦合所構(gòu)成的納米結(jié)點(diǎn)為研究對象,用密度泛函理論結(jié)合非平衡格林函數(shù)的方法,對結(jié)點(diǎn)的電子輸運(yùn)進(jìn)行了理論模擬.計(jì)算結(jié)果得到:當(dāng)2電極距離為1.686 nm時(shí),納米結(jié)點(diǎn)體系總能量最低,結(jié)構(gòu)最穩(wěn)定,C-Si平均鍵長為0.166 nm,此時(shí)結(jié)點(diǎn)的透射系數(shù)為0.627,平衡電導(dǎo)為0.627 G0,電子傳輸通道主要由碳、硅原子的p電子軌道形成的π鍵所構(gòu)成;在電壓為0~1.0 V時(shí),納米結(jié)點(diǎn)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的電導(dǎo)隨著外偏壓的增大而減小.
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