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碳布負載的ZnO/C/Ni(OH)2納米陣列的構(gòu)建及電化學性能

作者:汪諶; 賈聰圃; 何穎; 劉藝軍; 程起林 華東理工大學材料科學與工程學院; 超細材料制備與應用教育部重點實驗室; 上海200237

摘要:以碳布(CC)為基體、氧化鋅納米棒為模板,2-甲基咪唑為有機配體,采用水熱與高溫碳化方法,在碳布表面構(gòu)建氧化鋅納米棒陣列復合材料(ZnO/C);利用電沉積法在ZnO/C復合物表面生長氫氧化鎳(Ni(OH)2)納米片,獲得碳布負載的氧化鋅/碳/氫氧化鎳(ZnO/C/Ni(OH)2)核殼結(jié)構(gòu)納米棒陣列。對獲得的復合材料進行形貌和結(jié)構(gòu)表征,并對其電化學性能進行了測試。結(jié)果表明:復合物納米棒陣列均勻生長在碳布表面,納米棒外層由納米片狀Ni(OH)2相互交叉堆疊而成;該復合材料作為超級電容器的電極材料時,在1.0A/g的電流密度下比容量可以達到1051.9F/g;當電流密度增大到10A/g后,比容量仍有644.5F/g;在5.0A/g的電流密度下進行5000次循環(huán)充放電后,復合電極的比容量仍保留87.1%,展現(xiàn)出良好的電化學性能。

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華東理工大學學報·社會科學版

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