摘要：通過采用常溫、簡(jiǎn)單、成本低且與產(chǎn)線完全兼容的金屬輔助化學(xué)刻蝕方法（MACE）,在太陽電池正面制備硅納米線、硅納微米復(fù)合結(jié)構(gòu)以及硅倒金字塔等結(jié)構(gòu),并且采用不同的鈍化方式對(duì)太陽電池正面和背面實(shí)施鈍化,以期提高器件的光學(xué)和電學(xué)性能.結(jié)果表明,在原子層沉積（ALD）的氧化鋁對(duì)單晶硅納微米結(jié)構(gòu)上,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了最低的光學(xué)減反（1.38%）和最低的表面復(fù)合速率（44.72cm/s）,基于該結(jié)構(gòu)的n型太陽電池最高轉(zhuǎn)換效率達(dá)到21.04%.同時(shí),制備出了光電轉(zhuǎn)換效率為20.0%,PECVD-SiO2/SiNx疊層鈍化的標(biāo)準(zhǔn)太陽電池尺寸的p型硅基納微米復(fù)合結(jié)構(gòu)太陽電池器件.進(jìn)一步研究顯示為一種新型硅倒金字塔結(jié)構(gòu)陣列,具備更優(yōu)異的光電性能.這些基于MACE的納微米結(jié)構(gòu)陣列太陽電池顯示出在新一代高效太陽電池方面的極強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力.