摘要：采用CST電磁工作室和粒子工作室軟件對負(fù)離子試驗源的會切磁場、過濾磁場、電子偏轉(zhuǎn)磁場的位形及引出束流的光學(xué)進(jìn)行了模擬計算。通過掃描會切磁體、過濾磁體、電子偏轉(zhuǎn)磁體的表面磁場參數(shù),確定了最佳的磁體結(jié)構(gòu)和運行參數(shù):周邊6圈會切磁體,會切磁體表面磁場4kG,過濾磁體表面磁場5.5kG,電子偏轉(zhuǎn)磁體表面磁場2.5kG,引出電壓5~20k V,加速電壓50~160k V,引出負(fù)離子束的光學(xué)性能滿足NBI注入要求。