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石墨烯場效應(yīng)晶體管型汞離子適體傳感器

作者:郭智勇; 賈蕓芳 南開大學(xué)電子信息與光學(xué)工程學(xué)院; 天津300350

摘要:提出了一種用于液體中汞離子檢測的石墨烯場效應(yīng)晶體管(graphene field effect transistor,GFET)型適體傳感器,其中GFET采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)制備,其柵極表面采用共價(jià)鍵交聯(lián)技術(shù)固定汞離子適體探針。使用安捷倫B2923A對制備GFET型汞離子適體傳感器進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測試,實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示當(dāng)汞離子濃度從0.1nmol/L至4 nmol/L變化時(shí),在固定工作條件下,GFET輸出電流變化曲線隨被測汞離子濃度增加而減小,當(dāng)汞離子濃度達(dá)到1 nmol/L時(shí)輸出電流達(dá)到飽和;在汞離子濃度為0.1~1 nmol/L時(shí),歸一化輸出電流隨汞離子濃度變化增加而降低,線性相關(guān)系數(shù)(r^2)為0.8708。

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化學(xué)傳感器

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