聚倍半硅氧烷/聚酰亞胺復(fù)合材料制備及性能研究
作者：龐天亮; 范超; 鞠冬寶; 李嘉文; 周宏 哈爾濱理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院; 黑龍江哈爾濱150040
摘要：本文以4,4’-二氨基二苯醚、均苯四甲酸二酐為原料,制備聚酰亞胺(Polyimide,PI)薄膜。并將其與籠型倍半硅氧烷(Polyhedral oligomeric silsesquioxane,POSS),通過原位分散聚合法制備了具有低介電常數(shù)POSS/PI復(fù)合薄膜。研究了POSS填充量對POSS/PI復(fù)合材料介電、熱穩(wěn)定性及力學(xué)性能的影響。結(jié)果表明:摻入POSS的含量為0.5wt%時,POSS/PI復(fù)合材料的介電常數(shù)與介電損耗明顯降低,熱分解溫度變化不大,拉伸強(qiáng)度略有降低。
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