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Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics

  • ISSN:1555-130X
  • ESSN:1555-1318
  • 國際標準簡稱:J NANOELECTRON OPTOE
  • 出版地區(qū):UNITED STATES
  • 出版周期:Tri-annual
  • 研究方向:工程:電子與電氣 - 工程技術(shù)
  • 出版年份:2006
  • 語言:English
  • 是否OA:未開放
  • 學(xué)科領(lǐng)域

    工程技術(shù)
  • 中科院分區(qū)

    4區(qū)
  • JCR分區(qū)

    Q4
  • IF影響因子

    0.6
  • 是否預(yù)警

期刊簡介

Journal Title:Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics

JNO is a cross-disciplinary peer-reviewed journal to consolidate all experimental and theoretical research activities in the areas of nanoscale electronic and optoelectronic materials and devices, electronic and optical properties of semiconductors, inorganic, organic, and hybrid nanostructures, electronic applications of superlattices, quantum structures, and other nanostructures, optoelectronic and photonic applications of novel functional materials and nanostructures, nanoelectronic circuits and device integration, nanofabrication, processing and characterization techniques, information processing and optical communications.

中文簡介

JNO 是一本跨學(xué)科的同行評審期刊,整合了納米級電子和光電子材料和器件、半導(dǎo)體的電子和光學(xué)特性、無機、有機和混合納米結(jié)構(gòu)、超晶格的電子應(yīng)用、量子結(jié)構(gòu)和其他納米結(jié)構(gòu)、新型功能材料和納米結(jié)構(gòu)的光電和光子應(yīng)用、納米電子電路和器件集成、納米制造、加工和表征技術(shù)、信息處理和光通信等領(lǐng)域的所有實驗和理論研究活動。

期刊點評

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics創(chuàng)刊于2006年,由AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS出版商出版,收稿方向涵蓋工程:電子與電氣 - 工程技術(shù)全領(lǐng)域,此期刊水平偏中等偏靠后,在所屬細分領(lǐng)域中專業(yè)影響力一般,過審相對較易,如果您文章質(zhì)量佳,選擇此期刊,發(fā)表機率較高。平均審稿速度 約1.0個月 ,影響因子指數(shù)0.6,該期刊近期被列入國際期刊預(yù)警名單,請廣大學(xué)者慎重選擇。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023年12月升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

名詞解釋:
中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū),基礎(chǔ)版分為13個大類學(xué)科,然后按照各類期刊影響因子分別將每個類別分為四個區(qū),影響因子5%為1區(qū),6%-20%為2區(qū),21%-50%為3區(qū),其余為4區(qū)。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2022年12月升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月舊的升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月基礎(chǔ)版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2020年12月舊的升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

WOS分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023-2024年最新版)

按JIF指標學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 319 / 352

9.5%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 134 / 140

4.6%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 171 / 179

4.7%

按JCI指標學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 336 / 354

5.23%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 133 / 140

5.36%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 175 / 179

2.51%

名詞解釋:
WOS即Web of Science,是全球獲取學(xué)術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫,Web of Science包括自然科學(xué)、社會科學(xué)、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息,來自全世界近9,000種最負盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學(xué)術(shù)會議多學(xué)科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時會按照某一個學(xué)科領(lǐng)域劃分,根據(jù)這一學(xué)科所有按照影響因子數(shù)值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影響因子值高的就會在高分區(qū)中,最后的劃分結(jié)果分別是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表質(zhì)量最高。

其他數(shù)據(jù)

是否OA開放訪問: h-index: 年文章數(shù):
未開放 18 179
Gold OA文章占比: 2021-2022最新影響因子(數(shù)據(jù)來源于搜索引擎): 開源占比(OA被引用占比):
0.00% 0.6 0
研究類文章占比:文章 ÷(文章 + 綜述) 期刊收錄: 中科院《國際期刊預(yù)警名單(試行)》名單:
97.77% SCIE

歷年IF值(影響因子):

歷年引文指標和發(fā)文量:

歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù):

歷年自引數(shù)據(jù):

發(fā)文統(tǒng)計

2023-2024國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計:

國家/地區(qū) 數(shù)量
CHINA MAINLAND 322
India 133
South Korea 50
Saudi Arabia 44
Iran 41
Egypt 31
Pakistan 30
Malaysia 27
Turkey 26
Algeria 24

2023-2024機構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計:

機構(gòu) 數(shù)量
NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY... 47
ISLAMIC AZAD UNIVERSITY 16
COMSATS UNIVERSITY ISLAMABAD (CU... 15
ZHENGZHOU UNIVERSITY OF LIGHT IN... 15
CHONGQING UNIVERSITY 14
UNIVERSITI TEKNOLOGI MALAYSIA 14
KING KHALID UNIVERSITY 12
KING SAUD UNIVERSITY 10
ASSIUT UNIVERSITY 9
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 9

近年引用統(tǒng)計:

期刊名稱 數(shù)量
IEEE T ELECTRON DEV 273
APPL PHYS LETT 202
J APPL PHYS 133
IEEE ELECTR DEVICE L 116
J NANOELECTRON OPTOE 106
PHYS REV B 94
THIN SOLID FILMS 87
APPL SURF SCI 83
NANO LETT 81
SUPERLATTICE MICROST 77

近年被引用統(tǒng)計:

期刊名稱 數(shù)量
J NANOELECTRON OPTOE 106
J NANOSCI NANOTECHNO 20
PHYSICA B 18
J MATER SCI-MATER EL 15
MATER RES EXPRESS 14
CERAM INT 13
OPTIK 13
SCI ADV MATER 13
J ALLOY COMPD 10
APPL PHYS A-MATER 9

近年文章引用統(tǒng)計:

文章名稱 數(shù)量
Investigation of Ta/NII-WO3/FTO ... 10
A One Pot Room Temperature Synth... 9
Electrical Sensor Based on Hollo... 8
Iron Oxide (Fe3O4)-Graphene Oxid... 8
Hydrothermally Grown Copper-Dope... 7
High UV-to-Visible Rejection Rat... 6
Effect of the Electrolyte on Cap... 6
On the Frequency-Voltage Depende... 6
Comparative Analysis Among Singl... 6
Flexible Sensors Based on Ag/Pol... 6

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免責(zé)聲明

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