Journal Title：Iet Circuits Devices & Systems
IET Circuits, Devices & Systems covers the following topics:
Circuit theory and design, circuit analysis and simulation, computer aided design
Filters (analogue and switched capacitor)
Circuit implementations, cells and architectures for integration including VLSI
Testability, fault tolerant design, minimisation of circuits and CAD for VLSI
Novel or improved electronic devices for both traditional and emerging technologies including nanoelectronics and MEMs
Device and process characterisation, device parameter extraction schemes
Mathematics of circuits and systems theory
Test and measurement techniques involving electronic circuits, circuits for industrial applications, sensors and transducers
IET 電路、器件與系統(tǒng)涵蓋以下主題：
電路理論與設(shè)計、電路分析與仿真、計算機(jī)輔助設(shè)計
濾波器（模擬和開關(guān)電容器）
電路實現(xiàn)、單元和集成架構(gòu)（包括 VLSI）
可測試性、容錯設(shè)計、電路最小化和 VLSI 的 CAD
用于傳統(tǒng)和新興技術(shù)（包括納米電子學(xué)和 MEM）的新型或改進(jìn)電子設(shè)備
器件和工藝特性、器件參數(shù)提取方案
電路和系統(tǒng)理論的數(shù)學(xué)
涉及電子電路、工業(yè)應(yīng)用電路、傳感器和換能器的測試和測量技術(shù)
Iet Circuits Devices & Systems創(chuàng)刊于2007年，由Wiley出版商出版，收稿方向涵蓋工程技術(shù) - 工程：電子與電氣全領(lǐng)域，此期刊水平偏中等偏靠后，在所屬細(xì)分領(lǐng)域中專業(yè)影響力一般，過審相對較易，如果您文章質(zhì)量佳，選擇此期刊，發(fā)表機(jī)率較高。平均審稿速度 較慢,6-12周 ，影響因子指數(shù)1，該期刊近期沒有被列入國際期刊預(yù)警名單，廣大學(xué)者值得一試。
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
名詞解釋：
中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū)，基礎(chǔ)版分為13個大類學(xué)科，然后按照各類期刊影響因子分別將每個類別分為四個區(qū)，影響因子5%為1區(qū)，6%-20%為2區(qū)，21%-50%為3區(qū)，其余為4區(qū)。
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 285 / 352 |
19.2% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 287 / 354 |
19.07% |
名詞解釋：
WOS即Web of Science，是全球獲取學(xué)術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫，Web of Science包括自然科學(xué)、社會科學(xué)、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息，來自全世界近9,000種最負(fù)盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學(xué)術(shù)會議多學(xué)科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時會按照某一個學(xué)科領(lǐng)域劃分，根據(jù)這一學(xué)科所有按照影響因子數(shù)值降序排名，然后平均分成4等份，期刊影響因子值高的就會在高分區(qū)中，最后的劃分結(jié)果分別是Q1，Q2，Q3，Q4，Q1代表質(zhì)量最高。
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||
| 3.8 | 0.289 | 0.595 |
|
名詞解釋：
CiteScore：衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)。
SJR:SCImago 期刊等級衡量經(jīng)過加權(quán)后的期刊受引用次數(shù)。引用次數(shù)的加權(quán)值由施引期刊的學(xué)科領(lǐng)域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來源出版物的標(biāo)準(zhǔn)化影響將實際受引用情況對照期刊所屬學(xué)科領(lǐng)域中預(yù)期的受引用情況進(jìn)行衡量。
| 是否OA開放訪問： | h-index： | 年文章數(shù)： |
| 開放 | 45 | 26 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數(shù)據(jù)來源于搜索引擎）: | 開源占比（OA被引用占比）： |
| 69.13% | 1 | 0.27... |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國際期刊預(yù)警名單（試行）》名單： |
| 96.15% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量：
歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù)：
歷年自引數(shù)據(jù)：
2023-2024國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計：
| 國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| India | 169 |
| CHINA MAINLAND | 68 |
| Iran | 53 |
| USA | 35 |
| Canada | 22 |
| Taiwan | 21 |
| South Korea | 17 |
| Turkey | 14 |
| Egypt | 9 |
| France | 9 |
2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計：
| 機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
| NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY... | 47 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 37 |
| ISLAMIC AZAD UNIVERSITY | 17 |
| JADAVPUR UNIVERSITY | 11 |
| XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY | 10 |
| SHAHID BAHONAR UNIVERSITY OF KER... | 8 |
| BIRLA INSTITUTE OF TECHNOLOGY & ... | 6 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... | 6 |
| ANNA UNIVERSITY | 5 |
| BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY | 5 |
近年引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC | 200 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 184 |
| IEEE T CIRCUITS-I | 142 |
| IEEE T CIRCUITS-II | 98 |
| ELECTRON LETT | 92 |
| IEEE T POWER ELECTR | 83 |
| IET CIRC DEVICE SYST | 83 |
| IEEE T VLSI SYST | 82 |
| IEEE T COMPUT AID D | 53 |
| IEEE T MICROW THEORY | 52 |
近年被引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IET CIRC DEVICE SYST | 83 |
| IEEE ACCESS | 43 |
| J CIRCUIT SYST COMP | 35 |
| MICROELECTRON J | 34 |
| AEU-INT J ELECTRON C | 29 |
| ANALOG INTEGR CIRC S | 22 |
| CIRC SYST SIGNAL PR | 21 |
| ELECTRONICS-SWITZ | 17 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 13 |
| IEICE ELECTRON EXPR | 11 |
近年文章引用統(tǒng)計：
| 文章名稱 | 數(shù)量 |
| Novel CNFET ternary circuit tech... | 10 |
| Novel CMOS MO-CFDITA based fully... | 7 |
| Efficient designs of reversible ... | 7 |
| Efficient design of coplanar rip... | 7 |
| Widely tunable low-pass g(m) - C... | 6 |
| Tuning approach for first-order ... | 6 |
| Transmission gate-based 9T SRAM ... | 6 |
| Fault-tolerant delay cell for ri... | 5 |
| Light activation of noise at mic... | 5 |
| Analytical modelling and paramet... | 5 |
| 同小類學(xué)科的其他優(yōu)質(zhì)期刊 | 影響因子 | 中科院分區(qū) |
| International Journal Of Ventilation | 1.1 | 4區(qū) |
| Journal Of Energy Storage | 8.9 | 2區(qū) |
| Journal Of Environmental Chemical Engineering | 7.4 | 2區(qū) |
| Complexity | 1.7 | 4區(qū) |
| Chemical Engineering Journal | 13.3 | 1區(qū) |
| International Journal Of Hydrogen Energy | 8.1 | 2區(qū) |
| Electronics | 2.6 | 3區(qū) |
| Aerospace | 2.1 | 3區(qū) |
| Buildings | 3.1 | 3區(qū) |
| Shock Waves | 1.7 | 4區(qū) |
若用戶需要出版服務(wù)，請聯(lián)系出版商：WILEY, 111 RIVER ST, HOBOKEN, USA, NJ, 07030-5774。
