摘要：采用直流磁控濺射法在玻璃襯底上制備了ZnMgO∶Ti透明導(dǎo)電薄膜。利用SEM、XRD、雙光束紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)和四探針?lè)ㄏ到y(tǒng)研究了靶基距對(duì)薄膜形貌及光電性能的影響。結(jié)果表明,靶基距對(duì)ZnMgO∶Ti薄膜光電特性有較大影響。隨著靶基距的增加,電阻率先減小后增加,在靶基距為50mm時(shí)薄膜電阻率達(dá)到最小值6.44×10^-4Ω·cm;靶基距對(duì)薄膜的光透過(guò)率影響不大,所制備薄膜在400~900nm范圍內(nèi)的平均透射率均達(dá)到92%,但隨著靶基距的增加,光學(xué)吸收邊界向短波方向移動(dòng),出現(xiàn)了藍(lán)移現(xiàn)象。不同靶基距下,帶隙寬度也發(fā)生了變化。