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交流電沉積制備PEDOT∶PSS有機電化學晶體管

作者:李芒芒; 王磊; 桑勝波; 賈月梅; 冀健龍 太原理工大學機械與運載工程學院; 太原030024; 太原理工大學信息與計算機學院微納系統(tǒng)研究中心; 太原030024; 博奧生物集團有限公司; 北京102206

摘要:使用3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)與聚(4-苯乙烯磺酸鈉)(NaPSS)的混合水溶液為電解液,采用交流電沉積法在Pt微電極對之間沉積形成薄膜、線、枝晶等不同形貌結構的有機半導體(OS)溝道層。以NaCl電解質(zhì)作為柵介質(zhì),Ag/AgCl電極作為柵極,一對Pt微電極中一個為源極,另一個為漏極,制備形成有機電化學晶體管(OECT)。采用計時電流法和循環(huán)伏安法對Pt電極聚(3,4乙烯二氧噻吩)∶聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT∶PSS)聚合過程進行了表征與檢測。結果表明EDOT的氧化電位為0.9 V,PEDOT∶PSS的過氧化電位為1.2 V,電沉積制備PEDOT∶PSS的過程中物質(zhì)輸運擴散受限。進一步基于介電泳、電泳以及粒子間的聚合力分析了電化學參數(shù)對OS層形貌的影響規(guī)律。使用Keithley 2636B源表對OECT進行測試,結果表明制備的OECT為p耗盡型器件,薄膜狀OS溝道層的器件性能最好,其跨導達到0.8 mS,開關比達到400。

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