摘要：采用低廉、簡便及易于控制元素組成的溶液法在鈉鈣玻璃和鉬玻璃基底上沉積Cu-Sn-S前驅(qū)體膜,隨后在N2保護(hù)下硒化獲得到Cu2Sn(S,Se)3薄膜,并通過調(diào)控前驅(qū)薄膜的硒化退火溫度,實(shí)現(xiàn)了對(duì)薄膜形貌、物相結(jié)構(gòu)、電學(xué)及光學(xué)性能的有效調(diào)制.研究結(jié)果表明,適當(dāng)?shù)奈嘶饻囟?如480℃,可得到表面平整、結(jié)晶度高、晶粒致密和雙層結(jié)構(gòu)(上層大、下層小晶粒)的Cu2Sn(S,Se)3薄膜,其帶隙為1.28eV,載流子濃度可低至6.780×1017cm^-3,遷移率高達(dá)18.19cm2·V^-1·S^-1,可用于薄膜太陽能電池的光吸收層.