摘要：在Ni基體上電沉積純Ni鍍層和Ni-CeO2復合鍍層并對其進行620℃低溫滲鋁,制備了無CeO2和CeO2改性的鋁化物涂層。將以上2種涂層在1000℃下氧化,研究CeO2顆粒的加入對氧化膜的生長速率和粘附性能的影響。結(jié)果表明,在δ-Ni2Al3涂層中加入納米CeO2顆?？梢酝七t一層完整α-Al2O3膜的形成時間,降低氧化膜的生長速率。此外,納米CeO2顆粒的加入提高了氧化膜的粘附性。原因是與沒有CeO2摻雜的涂層相比,CeO2改性鋁化物涂層在氧化膜/涂層界面上形成的空洞尺寸較小。