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壓接型IGBT均流設(shè)計(jì)
作者：劉國(guó)友; 竇澤春; 羅海輝; 覃榮震; 王彥剛 新型功率半導(dǎo)體器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 湖南株洲412001; 株洲中車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司; 湖南株洲412001; 中車(chē)株洲電力機(jī)車(chē)研究所有限公司; 湖南株洲412001
摘要：針對(duì)壓接型絕緣柵雙極晶體管(IGBT)內(nèi)部均流設(shè)計(jì),對(duì)多芯片壓接結(jié)構(gòu)及其壓力均衡、壓接型IGBT芯片內(nèi)部均流、子單元間均流等方面進(jìn)行了研究和優(yōu)化設(shè)計(jì)。試驗(yàn)驗(yàn)證了壓接型IGBT具有良好的電流關(guān)斷能力、短路電流能力及反偏安全工作區(qū),器件內(nèi)部均流狀態(tài)較好。
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