摘要：目的研究不同強度靜磁場暴露對大鼠紋狀體多巴胺神經(jīng)元D2受體和多巴胺轉(zhuǎn)運體表達的影響。方法二級Wistar雄性大鼠48只隨機分為對照組（C）、低劑量組（50 m T）、中劑量組（100 m T）和高劑量組（200 m T）,采用中科院電工研究所研制的超導(dǎo)磁體系統(tǒng),將大鼠進行全身暴露,1 h/d,連續(xù)暴露15 d。分別于暴露第1 d、5 d、10 d和15 d活殺取腦紋狀體組織,制作石蠟切片,免疫組織化學(xué)SP法檢測紋狀體中多巴胺D2受體和多巴胺轉(zhuǎn)運體的表達并進行定量分析。結(jié)果暴露第10 d,多巴胺D2受體于中、高劑量組神經(jīng)元細胞膜表達顯著降低（P〈0.01）,暴露第15 d,低、中、高劑量組神經(jīng)元細胞膜表達均顯著降低（P〈0.01）;多巴胺轉(zhuǎn)運體于磁場暴露第5 d、10 d、15 d,高劑量組神經(jīng)元細胞膜和胞漿內(nèi)表達顯著升高（P〈0.05）。結(jié)論中強靜磁場暴露可致大鼠紋狀體多巴胺D2受體表達降低和多巴胺轉(zhuǎn)運體表達升高。