摘要：為了研究蠶豆和續(xù)斷菊根系對異質(zhì)Cd脅迫的生態(tài)學(xué)響應(yīng),探討間作體系影響Cd累積的根系可塑性機(jī)理,以蠶豆和Cd富集植物續(xù)斷菊為試驗(yàn)材料,設(shè)置異質(zhì)Cd脅迫根箱模擬試驗(yàn),將根箱平均分為左、右兩室,分別填充Cd處理(50mg·kg^-1)土壤和無Cd土壤,分別測定蠶豆和續(xù)斷菊的根長、根表面積、根體積等形態(tài)指標(biāo),比較異質(zhì)Cd脅迫對蠶豆和續(xù)斷菊根系生長影響的差異。結(jié)果表明,異質(zhì)Cd脅迫下,蠶豆的根長、根表面積、根體積表現(xiàn)為無Cd右室大于Cd脅迫左室,續(xù)斷菊表現(xiàn)為Cd脅迫左室大于無Cd右室。蠶豆根系直徑為0~0.5mm、土壤深度為15~20cm時(shí),無Cd右室根長、根表面積和根體積是Cd脅迫左室的4.63、3.14倍和2.39倍;根系直徑為0.5~1mm和大于1mm、土壤深度為30~35cm時(shí),無Cd右室根長分別是Cd脅迫左室的1.69倍和5.04倍,根表面積分別是Cd脅迫左室的1.78倍和5.05倍,根體積分別是Cd脅迫左室的1.85倍和33.00倍。續(xù)斷菊根系直徑為0~0.5mm、土壤深度為0~5cm時(shí),Cd脅迫左室根長、根表面積和根體積是無Cd右室的1.66、1.36倍和1.57倍;根系直徑為0.5~1mm、土壤深度為35~40cm時(shí),Cd脅迫左室根長、根表面積和根體積是無Cd右室的2.86、2.16倍和2.81倍;根系直徑大于1mm、土壤深度為15~20cm時(shí),Cd脅迫左室根長、根表面積和根體積是無Cd右室的26.94、52.26倍和139.33倍。綜上結(jié)果表明Cd脅迫抑制了蠶豆根系的生長,促進(jìn)了續(xù)斷菊根系的生長,這可能是蠶豆和續(xù)斷菊間作模式修復(fù)Cd污染土壤的機(jī)理之一。